中国人民解放军军旗也叫八一军旗, 空军军旗旗面上面部分保持八一军旗的基本样式,下面部分为草绿色旗面,正以其灿烂的星光,是中华人民共和国国家主要武装力量的标志,
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央广网北京5月1日消息(记者 孙汝祥)截至2024年4月30日,科创板全部571家公司披露了2023年度主要经营业绩信息。
数据显示,科创板公司全年合计实现营业收入13977.8亿元,同比增长4.7%,其中,超6成公司实现营业收入正增长,47家公司营业收入增幅超过50%;全年实现净利润759.6亿元。以2019年为基数,科创板公司近4年营业收入和净利润的复合增长率分别达到23.3%和24.4%,其中,92家公司营业收入和净利润复合增长率均超过30%,187家公司连续4年营业收入均实现增长,75家公司连续4年净利润均为正增长。
2023年科创板公司毛利率水平保持高位,全年平均毛利率达到41.7%,超3成公司毛利率超过50%,59家公司毛利率较上年增加5个百分点以上。从现金流看,2023年科创板公司经营活动现金流净额合计1,395.5亿元,同比增长13.6%,显示出良好的变现能力和回款效率。
研发投入迭创新高。科技创新是国际战略博弈的主战场,科创板公司积极发挥科技创新活动主体作用,坚持创新驱动发展,研发强度保持高位,创新要素加速汇聚。2023年,科创板公司研发投入金额合计达到1,561.2亿元,同比增长14.3%,研发投入占营业收入比例中位数为12.2%,83家公司研发强度连续三年超20%。截至2023年末,科创板已汇聚超过23万人的科研人才队伍,研发人员占员工总数的比例超过3成。
创新成果不断涌现。得益于持续稳定的高研发投入,2023年科创板公司在科技创新方面取得了一系列新进展、新突破。截至2023年末,累计124家次公司牵头或者参与的项目获得国家科学技术奖等重大奖项,6成公司核心技术达到国际或者国内先进水平;累计形成发明专利超10万项,其中中芯国际、信科移动的专利均超过万项。龙芯中科推出新一代通用处理器龙芯3A6000,标志国产CPU在自碳化硅衬底全球第二,加速出海至国际一线器件企业。(央广资本眼)
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PChome 3月17日消息,自2021年推出Galaxy Z Fold3以来,三星大折叠手机的电池容量一直固定为4400mAh,续航方面只能依靠高能效的芯片以及系统优化来提升,但这种玄学的续航提升,显然是不被消费者认可的。
而有意思的是,2020年推出的Galaxy Fold2反而配备了更大的4500mAh电池。三星对电池容量的停滞不前,显然是相当不合理的做法。在原地踏步多年后,三星终于要对此做出改变。据最新传闻称,三星Galaxy Z Fold8将提升电池容量,只是增幅不算特大。
PChome获悉,三星Galaxy Z Fold8的电池容量将直接提升至5000mAh,与Galaxy S26 Ultra保持一致。即便如此,电量在2026年的手机市场也不算亮眼,不过与4400mAh的电池相比,已经提升了14%的电量,对三星来说已经是大升级了。
当然,5000mAh的电池并不是足额的,Galaxy Z Fold8采用双电芯设计(左右各一块),两块电池的额定容量分别为2369mAh和2485mAh,合计4854mAh,三星将会以5000mAh的典型容量进行宣传。
除此之外,三星在今年可能还将推出一款宽幅版的折叠屏手机,该机有着与苹果iPhone Fold相近的机身形态,从而可以对苹果进行直接竞争,这款手机的电池容量约为4900mAh。
本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面,对该技术进行系统性解析。
一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口
当前半导体制造技术正经历关键变革:鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极(GAA)纳米带晶体管替代,中段制程(MOL)因多重图形化技术的应用,堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部,传统光学检测手段难以有效识别。
同时,先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性,集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”,此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发,成为影响良率的核心因素。
行业面临的核心矛盾在于:电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术,但传统电子束检测采用光栅扫描模式,效率远低于光学检测,无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现,为破解这一矛盾提供了可行路径。
二、DirectScan 核心技术架构:PointScan 的创新逻辑
DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成,其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构,主要体现在以下三方面:
1
设计感知驱动的靶向检测
传统电子束检测采用无差别光栅扫描,需覆盖包括介质区域在内的全部区域,且无法识别被测目标的图形特征;PointScan 技术具备非接触式电学测试特性,可精准跳转至目标器件的关键位置(如焊盘、接触点),仅对有效检测区域实施电压衬度检测,完全规避介质区域的无效扫描,实现 “按需检测”。
2
检测效率的量级提升
通过 FIRE 平台的精细化版图分析,可精准筛选出需检测的 “关键区域”,大幅缩减检测范围:
后段制程金属 3 层通孔检测:仅需扫描总可检测面积的 2.5%
中段制程栅极 - 漏极短路检测:仅需扫描总接触点的 1%
栅极残筋检测:可规避 50%-75% 的介质区域,检测面积缩减至传统方案的 10% 以下
基于上述优化,PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍,每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。
3
设计感知学习与属性分析能力
DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合,可实现跨多层版图的属性提取,包括触点类型(漏极 / 栅极)、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。
eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码,可与版图特征精准匹配,工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率,快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案,为工艺优化提供数据支撑。
三、高难度场景的应用突破
PointScan 技术的低电荷沉积特性,使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破:
背侧供电网络(BSPDN)晶圆检测
键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导,导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题;PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量,有效缓解上述问题,已完成实际应用验证。
3D DRAM检测
3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积,此前检测难度较高,DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。
DRAM 阵列短路检测
独有的可控 “充电 - 检测” 功能,可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号,使特定岛状节点呈现高亮状态,清晰识别与浮空相邻触点的短路问题,该功能为传统光栅扫描技术所不具备。
四、行业落地实践与全流程应用
自 2022 年初起,eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地,目前两套设备投入大批量生产,第三套设备处于产能爬坡阶段,应用场景覆盖半导体制造全流程:
先进逻辑芯片制造
中段制程:GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测
后段制程:M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测
背侧供电网络:电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测
随机逻辑电路漏电情况评估
先进 DRAM 制造(2024-2025 年)
外围电路:栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位
存储阵列:基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测
技术总结
在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下,检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合,在保留电子束检测高灵敏度的基础上,实现了检测吞吐量的量级提升,同时破解了高难度场景的检测难题。
该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题,更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级,为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。